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Insulated Gate Bipolar Transistor

Ein Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, welches zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es die Vorteile des bipolaren Transistors (gutes Durchlassverhalten) und die Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.

IGBTs werden unter anderem im Hochleistungsbereich eingesetzt, da sie über eine hohe Sperrspannung verfügen und hohe Störme (bis etwa 3 kA) schalten können.

Anwendungen sind z. B. Schaltnetzteil, Frequenzumrichter (z. B. in der Antriebstechnik) oder Gleichstromsteller.

Der Ursprungsartikel stammt von der deutschsprachigen Wiki pedia (siehe oben: "Original Artikel & Autoren Liste").
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